DALLAEV, Rashid. Obtaining Thin Films Of Aln By Atomic Layer Deposition Using Nh3 Or N2h4 As Precursors. In: Proceedings of the 24th Conference STUDENT EEICT 2018 [online]. Vysoké učení technické v Brně, Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, 2018, s. 503-507 [cit. 2023-05-30]. ISBN 978-80-214-5614-3. Dostupné z: http://hdl.handle.net/11012/138285